Shallow Levels Characterization in Epitaxial GaAs by Acousto-Optic Reflectance

M. Torres-Cisneros, Igor Ostrovskii, Igor Ostrovskii, Gennadiy N. Burlak, Gennadiy N. Burlak, Svetlana V. Koshevaya, Svetlana V. Koshevaya, R. Guzmán-Cabrera, R. Guzmán-Cabrera, L. A. Aguilera-Cortés, L. A. Aguilera-Cortés, E. Alvarado-Méndez, E. Alvarado-Méndez, J.A. Andrade-Lucio, J.A. Andrade-Lucio, R. Rojas-Laguna, R. Rojas-Laguna, J. Estudillo-Ayala, J. Estudillo-Ayala, J. González-Barbosa, J. González-Barbosa, J. G. Aviña-Cervantes, J. G. Aviña-Cervantes, G. Cerda-Villicaña, G. Cerda-Villicaña, R. Castro-Sánchez, R. Castro-Sánchez, O. G. Ibarra-Manzano, O. G. Ibarra-Manzano

Abstract


En este trabajo, utilizamos el espectro de la luz reflejada en una muestra de Arsenuro de Galio (GaAs) bajo la influencia de una onda ultrasónica. El diferencial espectral es calculado como una diferencia entre el espectro del material obtenido bajo la influencia del ultrasonido y aquél obtenido sin dicha influencia. Este diferencial de reflectancia espectral acusto-óptico (AODR) contiene algunas bandas que representan los niveles energéticos de los centros en la superficie de la muestra. Esta técnica está basada en la perturbación de los estados locales generada por el ultrasonido. Particularmente, este trabajo presenta un método para caracterizar los estados locales en la superficie y las interfaces en los cristales, así como estructuras epiteliales de baja dimensión basadas en materiales semiconductores. Para ello, se presenta un modelo teórico para explicar dicho espectro de reflectancia diferencial (AODR). También se realizaron experimentos con estructuras de GaAs epitelial contaminado con Teluro (Te). Los resultados teóricos y experimentales obtenidos muestran que este método es una buena herramienta para caracterizar las trampas superficiales en estructuras epiteliales de semiconductores.

Keywords


Semiconductores; Reflectancia óptica; Niveles superficiales.



DOI: https://doi.org/10.15174/au.2005.211

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Revista Acta Universitaria, volumen 28, núm. 5, septiembre-octubre 2018, es una publicación bimestral editada por la Universidad de Guanajuato a través de la Dirección de Apoyo a la Investigación y al Posgrado. Lascuráin de Retana no. 5, Centro, C.P. 36000, Guanajuato, Gto., México. Página web: www.actauniversitaria.ugto.mx, correo electrónico: actauniversitaria@gmail.com. Editor responsable: Artemisa Helguera Arellano. Número de Certificado de Reserva de Derechos 04-2013-081513345500-203, ISSN 2007-9621, ambos otorgados por la Dirección de Reservas de Derechos del Instituto Nacional del Derecho de Autor de la Secretaría de Educación Pública. Responsable de la última actualización: Sonia Karina Aguirre Flores. Calzada de Guadalupe s/n, Centro, C. P. 36000, Guanajuato, Gto., México. Fecha de última modificación: 15 de noviembre de 2018. Las opiniones expresadas por los autores no necesariamente reflejan la postura del editor de la publicación. Queda estrictamente prohibida la reproducción total sin previa autorización de la Universidad de Guanajuato. Se autoriza la reproducción parcial de los contenidos e imágenes de la publicación Acta Universitaria siempre y cuando se cite la fuente.

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