[1]
Torres-Cisneros, M., Ostrovskii, I., Ostrovskii, I., Burlak, G.N., Burlak, G.N., Koshevaya, S.V., Koshevaya, S.V., Guzmán-Cabrera, R., Guzmán-Cabrera, R., Aguilera-Cortés, L.A., Aguilera-Cortés, L.A., Alvarado-Méndez, E., Alvarado-Méndez, E., Andrade-Lucio, J., Andrade-Lucio, J., Rojas-Laguna, R., Rojas-Laguna, R., Estudillo-Ayala, J., Estudillo-Ayala, J., González-Barbosa, J., González-Barbosa, J., Aviña-Cervantes, J.G., Aviña-Cervantes, J.G., Cerda-Villicaña, G., Cerda-Villicaña, G., Castro-Sánchez, R., Castro-Sánchez, R., Ibarra-Manzano, O.G. y Ibarra-Manzano, O.G. 2005. Shallow Levels Characterization in Epitaxial GaAs by Acousto-Optic Reflectance. Acta Universitaria. 15, 2 (abr. 2005), 42–49. DOI:https://doi.org/10.15174/au.2005.211.